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2025-07-28
对比传统 2D 封装的性能跃升
2.5D/3D Chiplet 先进封装相较于传统 2D 单芯片封装，在互联密度、数据传输效率与系统集成度上实现量级突破。据台积电 2024 年 CoWoS 封装技术白皮书，其 2.5D CoWoS-R 封装的硅中介层互联密度可达 10 万点 /mm，较传统有机基板封装（约 500 点 /mm）提升 200 倍；数据传…
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2025-07-28
对比传统红外传感方案的性能突破
硅基 MEMS 红外热电堆传感器相较于传统热电偶型红外传感器，在微型化、低功耗与精度上实现显著跃升。据博世（Bosch）2024 年传感技术白皮书数据，其量产的硅基 MEMS 红外热电堆传感器响应率（Rv）可达 1200 V/W，较同尺寸传统热电偶传感器（约 300 V/W）提升 300%；探测率…
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2025-07-28
对比硅基器件的性能跃升
在新能源电力转换场景中，4H-SiC 功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）较传统硅基 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）呈现显著性能优势。据英飞凌 2024 年车规级器件白皮书数据，其 4H-SiC 功率 MOSFET 的导通电阻（Rds (on)）可低至 2.5mΩ・cm，较同规格硅 IGBT…
